半导体器件(ic)研究中的特殊应用

在半导体器件(ic)研究中的特殊应用：

　　1)利用电子束感生电流ebic进行成像，可以用来进行集成电路中pn结的定位和损伤研究

　　2)利用样品电流成像，结果可显示电路中金属层的开、短路，因此电阻衬度像经常用来检查金属布线层、多晶连线层、金属到硅的测试图形和薄膜电阻的导电形式。

　　3)利用二次电子电位反差像，反映了样品表面的电位，从它上面可以看出样品表面各处电位的高低及分布情况，---是对于器件的隐开路或隐短路部位的确定尤为方便。

　　4、利用背散射电子衍射信号对样品物质进行晶体结构(原子在晶体中的排列方式)，晶体取向分布分析，基于晶体结构的相鉴定。

扫描电镜的放大倍数是多少?

如果以吸收电子、x射线、阴极荧光、束感生电导或电位等作为调制信号的其他操作方式，由于信号来自整个电子束散射区域，所得扫描像的分辨率都比较低，一般在l000 nm或l0000nm以上不等。扫描电镜的放大倍数可表示为m =ac/as式中，ac—荧光屏上图像的边长；as—电子束在样品上的扫描振幅。一般地，ac 是固定的(通常为100 mm)，则可通过改变as 来改变放大倍数。目前，大多数商品扫描电镜放大倍数为20～20,000倍，介于光学显微镜和透射电镜之间，即扫描电镜弥补了光学显微镜和透射电镜放大倍数的空挡。

小心地施加灯丝的加热电流

直热式的钨阴极发射通过对灯丝的直接加热，把电子从钨阴极材料中激发出来。若增加灯丝的加热电流，灯丝的温度就会随之上升，发射的束流也会随之加大。当灯丝的发射束流达到其高点时，即使再加大灯丝的加热电流，其发射的束流也很难再有明显增加，而只会增加灯丝的温度，从而加速灯丝的挥发，进而导致灯丝很快烧断。也就是说操作者应该小心地施加灯丝的加热电流，以获得既大又稳定的发射束流，而灯丝的温度又能---，不至于升得太高而造成过热，这个点就叫作饱和点。

扫描电子显微镜sem参数

扫描电子显微镜sem 基本参数

放大率：通过控制扫描区域的大小来控制放大率的。如果需要更高的放大率，只需要扫描更小的一块面积就可以了。放大率由屏幕/照片面积除以扫描面积得到

场深：扫描电子显微镜sem中，位于焦平面上下的一小层区域内的样品点都可以得到---的会焦而成象。这一小层的厚度称为场深，通常为几纳米厚，所以，sem可以用于纳米级样品的三维成像。

工作距离：工作距离指从物镜到样品高点的垂直距离。如果增加工作距离，可以在其他条件不变的情况下获得的场深。 如果减少工作距离，则可以在其他条件不变的情况下获得更高的分辨率。通常使用的工作距离在5毫米到10毫米之间。